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日立能源ABB PCT二极管5STP 18H4200
Phase Control Thyristor5STP 18H4200VDRM=4200 VIT(AV)M=2170 AIT(RMS)=3400 AITSM= 32.0·103AVT0=0.982 VrT=0.274 mW
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2025-07-16 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 12F4200
Phase Control Thyristor5STP 12F4200VDRM=4200 VIT(AV)M=1190 AIT(RMS)=1860 AITSM= 17.3·103AVT0=1.01 VrT=0.545 mW
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2025-07-15 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 04D4200
Phase Control Thyristor5STP 04D4200VDRM=4200 VIT(AV)M=500 AIT(RMS)=785 AITSM= 7.1·103AVT0=1.14 VrT=1.288 mW•专利浮动硅技术•低导通损耗和开关损耗•为牵引、能源和工业应用而设计•z优的功率处理能力普通
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2025-07-14 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 45Q2800
Phase Control Thyristor5STP 45Q2800VDRM=2800 VIT(AV)M=5710 AIT(RMS)=8970 AITSM= 77.0·103AVT0=0.864 VrT=0.069 mW•专利浮动硅技术•低导通损耗和开关损耗•为牵引、能源和工业应用而设计•z优的功率处理能力
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2025-07-11 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 45N2800
Phase Control Thyristor5STP 45N2800VDRM=2800 VIT(AV)M=5250 AIT(RMS)=8240 AITSM= 77.0·103AVT0=0.864 VrT=0.069 mW•专利浮动硅技术•低导通损耗和开关损耗•为牵引、能源和工业应用而设计•z优的功率处理能力
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2025-07-10 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 33L2800
Phase Control Thyristor5STP 33L2800VDRM=2800 VIT(AV)M=3760 AIT(RMS)=5900 AITSM= 65.5·103AVT0=0.929 VrT=0.100 m•专利浮动硅技术•低导通损耗和开关损耗•为牵引、能源和工业应用而设计•z优的功率处理能力
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2025-07-09 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 24H2800
Phase Control Thyristor5STP 24H2800VDRM=2800 VIT(AV)M=2780 AIT(RMS)=4360 AITSM= 43.0·103AVT0=0.928 VrT=0.141 mW•专利浮动硅技术•低导通损耗和开关损耗•为牵引、能源和工业应用而设计•z优的功率处理能力
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2025-07-08 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 16F2810
5STP 16F2810Phase control thyristor•VDRM, VRRM= 2800 V•ITAVm= 1500 A•ITSM= 18000 A•VT0= 0.956 V•rT= 0.297 mΩ•专利浮动硅技术•低导通损耗和开关损耗•为牵引、能源和工业应用而设计•z优的功率处理能
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2025-07-07 |
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