| 图片 |
标 题 |
更新时间 |
 |
日立能源ABB PCT二极管 5STP 06D2800
Phase Control Thyristor5STP 06D2800VDRM=2800 VIT(AV)M=640 AIT(RMS)=1100 AITSM= 8.8·103AVT0=0.92 VrT=0.78 mW• 专利浮动硅技术• 低导通损耗和开关损耗• 为牵引、能源和工业应用而设计• z优的功率处理能力
|
2025-11-20 |
 |
日立能源ABB PCT 二极管5STP 42L1800
Phase Control Thyristor5STP 42L1800VDRM=1800 VIT(AV)M=4310 AIT(RMS)=6770 AITSM= 64.0·103AVT0=0.81 VrT=0.08 mW• 专利浮动硅技术• 低导通损耗和开关损耗• 为牵引、能源和工业应用而设计• z优的功率处理能
|
2025-11-18 |
 |
日立能源ABB PCT二极管 5STP 27H1800
Phase Control Thyristor5STP 27H1800VDRM=1800 VIT(AV)M=2940 AIT(RMS)=4620 AITSM= 50.5·103AVT0=0.912 VrT=0.096 mW• 专利浮动硅技术• 低导通损耗和开关损耗• 为牵引、能源和工业应用而设计• z优的功率处理
|
2025-11-17 |
 |
日立能源ABB PCT二极管 5STP 18F1810
5STP 18F1810Phase control thyristor•VDRM, VRRM= 1800 V•ITAVm= 1780 A•ITSM= 21000 A•VT0= 0.923 V•rT= 0.188 mΩ• 专利浮动硅技术• 低导通损耗和开关损耗• 为牵引、能源和工业应用而设计• z优的功率处
|
2025-11-14 |
 |
日立能源ABB PCT二极管5STP 07D1800
Phase Control Thyristor5STP 07D1800VDRM=1800 VIT(AV)M=760 AIT(RMS)=1190 AITSM= 9.0·103AVT0=0.927 VrT=0.448 m• 专利浮动硅技术• 低导通损耗和开关损耗• 为牵引、能源和工业应用而设计• z优的功率处理能
|
2025-11-13 |
 |
日立能源ABB GTO二极管5SGF 40L4502
Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGF 40L4502VDRM=4500 VITGQM=4000 AITSM= 25×103AVT0=1.2 VrT=0.65 mWVDclink=2800 V·专利自由漂浮硅技术·低导通损耗和开关损耗·环形闸极·工业标准外壳·宇宙辐射耐受等级
|
2025-11-12 |
 |
日立能源ABB GTO二极管5SGA 40L4501
Asymmetric Gate turn-off Thyristor5SGA 40L4501VDRM= 4500 VITGQM= 4000 AITSM= 25×103AVT0= 2.1 VrT= 0.58 mWVDclink= 2800 V·专利自由漂浮硅技术·低导通损耗和开关损耗·环形闸极·工业标准外壳·宇宙辐射耐
|
2025-11-11 |
 |
日立能源ABB GTO 二极管5SGA 30J4502
Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGA 30J4502VDRM= 4500 VITGQM= 3000 AITSM= 24×103AVT0= 2.2 VrT= 0.6 mΩVDclink= 2800 V•专利的自由浮动硅技术•低导通状态和开关损耗•环形栅电极•行业标准外壳•抗宇宙辐
|
2025-11-10 |
产品分类