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日立能源ABB PCT二极管5STP 16F2810
5STP 16F2810Phase control thyristor•VDRM, VRRM= 2800 V•ITAVm= 1500 A•ITSM= 18000 A•VT0= 0.956 V•rT= 0.297 mΩ•专利浮动硅技术•低导通损耗和开关损耗•为牵引、能源和工业应用而设计•z优的功率处理能
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2025-07-07 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 06D2800
Phase Control Thyristor5STP 06D2800VDRM=2800 VIT(AV)M=640 AIT(RMS)=1100 AITSM= 8.8·103AVT0=0.92 VrT=0.78 mW• 专利浮动硅技术• 低导通损耗和开关损耗• 为牵引、能源和工业应用而设计• z优的功率处理能力
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2025-07-04 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 50Q1800
Phase Control Thyristor5STP 50Q1800VDRM=1800 VIT(AV)M=6100 AIT(RMS)=9580 AITSM= 94.0·103AVT0=0.90 VrT=0.050 mW• 专利浮动硅技术• 低导通损耗和开关损耗• 为牵引、能源和工业应用而设计• z优的功率处理能
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2025-07-03 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 42L1800
Phase Control Thyristor5STP 42L1800VDRM=1800 VIT(AV)M=4310 AIT(RMS)=6770 AITSM= 64.0·103AVT0=0.81 VrT=0.08 mW• 专利浮动硅技术• 低导通损耗和开关损耗• 为牵引、能源和工业应用而设计• z优的功率处理能
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2025-07-02 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 27H1800
Phase Control Thyristor5STP 27H1800VDRM=1800 VIT(AV)M=2940 AIT(RMS)=4620 AITSM= 50.5·103AVT0=0.912 VrT=0.096 mW• 专利浮动硅技术• 低导通损耗和开关损耗• 为牵引、能源和工业应用而设计• z优的功率处理
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2025-07-01 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 18F1810
5STP 18F1810Phase control thyristor•VDRM, VRRM= 1800 V•ITAVm= 1780 A•ITSM= 21000 A•VT0= 0.923 V•rT= 0.188 mΩ• 专利浮动硅技术• 低导通损耗和开关损耗• 为牵引、能源和工业应用而设计• z优的功率处
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2025-06-30 |
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日立能源ABB GTO二极管5SGF 30J4502
Gate turn-off Thyristor5SGF 30J4502PRELIMINARYVDRM= 4500 VITGQM= 3000 AITSM= 24 kAVT0= 1.80 VrT= 0.70 mΩVDClin= 3000 V·专利自由漂浮硅技术·低导通损耗和开关损耗·环形闸极·工业标准外壳·宇宙辐射耐受
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2025-06-27 |
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日立能源ABB GTO二极管5SGA 06D4502
Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGA 06D4502PRELIMINARYVDRM=4500 VITGQM=600 AITSM=3×103AVT0=1.9 VrT=3.5 mWVDclink=2800 V·专利自由浮动硅技术·低导通状态和开关损耗·中心栅电极·行业标准外壳·抗宇宙辐
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2025-06-26 |
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