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日立能源ABB GTO二极管5SGA 30J4502
Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGA 30J4502VDRM= 4500 VITGQM= 3000 AITSM= 24×103AVT0= 2.2 VrT= 0.6 mΩVDclink= 2800 V•专利的自由浮动硅技术•低导通状态和开关损耗•环形栅电极•行业标准外壳•抗宇宙辐
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2025-11-06 |
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日立能源ABB GTO 二极管5SGA 06D4502
Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGA 06D4502PRELIMINARYVDRM=4500 VITGQM=600 AITSM=3×103AVT0=1.9 VrT=3.5 mWVDclink=2800 V·专利自由浮动硅技术·低导通状态和开关损耗·中心栅电极·行业标准外壳·抗宇宙辐
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2025-11-05 |
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日立能源ABB IGBT模块5SNA 2400E170305
ABB IGBT模块5SNA2400E170305价格：电议/面议起订量： 1供货总量： 999发货期： 10天内发货包装说明:： 盒装产品规格： 只日期： 20245SNA 2400E170305HiPak IGBT 模块VCE = 1700 VIC = 2400 A超低损耗、坚固耐用的S
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2025-11-04 |
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日立能源ABB GTO二极管5SGA 30J2501
Gate turn-off Thyristor5SGA 30J2501VDRM= 2500 VITGQM= 2800 AITSM=30 kAVT0=1.5 VrT= 0.33 mVDClink= 1400 V· 专利自由漂浮硅技术· 低导通损耗和开关损耗· 环形闸极· 工业标准外壳· 宇宙辐射耐受等级门极
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2025-11-03 |
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日立能源ABB GTO二极管5SGA 25H2501
Gate turn-off Thyristor5SGA 25H2501VDRM= 2500 VITGQM= 2500 AITSM=16 kAVT0=1.66 VrT=0.57 mWVDClin= 1400 V专利自由漂浮硅技术低导通损耗和开关损耗环形闸极工业标准外壳宇宙辐射耐受等级门极可关断晶闸管（GTO
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2025-10-31 |
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日立能源ABB GTO二极管5SGA 20H2501
Gate turn-off Thyristor5SGA 20H2501VDRM= 2500 VITGQM= 2000 AITSM=16 kAVT0=1.66 VrT=0.57 mWVDClin= 1400 V专利自由漂浮硅技术低导通损耗和开关损耗环形闸极工业标准外壳宇宙辐射耐受等级门极可关断晶闸管（GTO
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2025-10-30 |
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日立能源ABB GTO二极管5SGA 15F2502
Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGA 15F2502VDRM=2500 VITGQM=1500 AITSM= 10×103AVT0=1.45 VrT=0.90 mWVDclink=1400 V· 专利自由漂浮硅技术· 低导通损耗和开关损耗· 环形闸极· 行业标准的外壳· 宇宙辐射
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2025-10-29 |
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日立能源ABB IGBT 模块5SNA1000G650300
供应ABB高压IGBT模块5SNA1000G6503005SNA 1000G650300HiPak IGBT moduleVCE = 6500 VIC = 1000 A超低损耗、坚固耐用的SPT++芯片组卓樾的坚固性和高的额定电流高绝缘封装用于低热阻和高功率循环能力的AlSiC基板和AlN
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2025-10-28 |
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